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glasses細川 伸也*; 川北 至信; Stellhorn, J. R.*; Pusztai, L.*; Blanc, N.*; Boudet, N.*; 池田 一貴*; 大友 季哉*
JPS Conference Proceedings (Internet), 33, p.011070_1 - 011070_7, 2021/03
銀イオン伝導体Ag
(GeSe)
のx=0.15, 0.28, 0.33, 0.50の試料について局所・中距離原子秩序がAXS, XRD, ND, RMCモデリングを組合せて調べられた。AXSとXRDで得られた結果にNDを加えることによって、もっともらしい部分構造と部分pdfを得ることができた。AXSとRMCによる以前の結果とは対照的に、多くのAg-Ge, Ge-Ge相関が第一近接殻内に見られるようになり、第一原理MDシミュレーションと一致する結果となった。GeとSeの配位数は、Agを考慮に入れなければ、すべてのAg濃度で8-
規則にほぼ乗っている。Ag濃度が増加すると、Ag周りのGeとSeの部分配位数が著しく増加し、一方Ag-Ag配位数はわずかに増加するのみである。このことは、Agの伝導経路がAg-Ag相関の第2近接を経由して形成されていることを示している。
佐久間 隆昭*; 中村 好夫*; 広田 雅樹*; 村上 明宏*; 石井 慶信
Solid State Ionics, 127(3-4), p.295 - 300, 2000/01
被引用回数：8 パーセンタイル：44.59(Chemistry, Physical)AgBrは超イオン伝導体であり、熱振動振幅が非常に大きい物質である。この物質の回折パターンをリートベルト解析を行う場合には、原子の熱振動に由来する散漫散乱を考慮してリファイメントする必要がある。本論文は、この散漫散乱を理論的に考察し、散漫散乱を回折パターンの記述に必要な一つの関数であるバックグラウンド関数に繰り込んで、実験値と比較、検討した結果を報告したものである。実験はJRR-3Mに設置されたTAS-2中性子散乱装置を用いて行った。測定温度は、散漫散乱が無視できる温度、7Kと散漫散乱が優位に現れる290Kの二つの温度である。散漫散乱を積極的に取り入れて、測定データをリートベルト解析をした結果、測定データを精密にリファイメントでき、この手法により、結晶構造を記述する各種係数を正確に決定できることがわかった。超イオン伝導体など原子振動の大きい物質について、回折測定結果をリートベルト解析するには、散漫散乱を十分考慮して解析する必要がある。以上、中性子散乱実験結果の解析手段の向上及び超イオン伝導体に関する新たな知見を得たので報告する。
佐久間 隆*; 中村 義男*; 村上 明宏*; 高橋 東之*; 石井 慶信
High Temp. Mater. Process., 18(1-2), p.41 - 48, 1999/00
非晶質Pd
Si
のX線散乱強度の温度依存性及び非晶質Siの散乱強度を中性子散乱により測定した。またCuI粉末の中性子散乱測定も行った。これらの測定から、波状の散漫散乱強度が観測された。この波状な散乱強度は構成原子であるCuとIの変位に基づくものであると考えており、理論計算とも良く一致する。さらに、この理論が結晶や非晶質にも適応するように一般化を試みた。
